SiC SBD

[規(guī)格型號(hào)]V:600V-1200V 1:2A-120A

[應(yīng)用領(lǐng)域]電源PFC、充電樁、光伏逆變器、微型逆變器、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、新能源汽車、儲(chǔ)能、UPS、工業(yè)變頻等。

[產(chǎn)品特點(diǎn)]SiC SBD具有無(wú)反向恢復(fù)電流、超高工作頻率、正溫度系數(shù)的正向壓降等優(yōu)勢(shì)。sic器件與Si器件相比開關(guān)損耗降低30%以上，可提升整體系統(tǒng)效率2%以上。

[芯塔優(yōu)勢(shì)] 芯塔電子第五代SiC SBD基于自主開發(fā)的XQ2.0技術(shù)平臺(tái)，產(chǎn)品具有低正向壓降、高浪涌電流和雪崩能力等技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

SiC MOSFET

[規(guī)格型號(hào)] Vs:650V-3300V Rs(:15-5000mQ

[應(yīng)用領(lǐng)域]新能源汽車、工業(yè)變頻、充電樁、光伏逆變器、儲(chǔ)能、UPS等領(lǐng)域

[產(chǎn)品特點(diǎn)]SiC MOSFET具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻、高可靠性高開關(guān)頻率的性能優(yōu)勢(shì)。sic器件與Si器件相比開關(guān)頻率提高5倍以上，開關(guān)損耗降低50%以上，系統(tǒng)體積可減小50%以上。新能源汽車電機(jī)控制器中應(yīng)用Sic器件續(xù)航里程增加10%左右。

[芯塔優(yōu)勢(shì)]芯塔電子第二代Si MOSFET基于自主開發(fā)的XM 2.0技術(shù)平臺(tái)，產(chǎn)品具有精細(xì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、低比導(dǎo)通電阻和低優(yōu)值因子(Q*R。)等技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

SiC Module